Konu "Arayüzey Durum Yoğunluğu" için Tez Koleksiyonu listeleme
Toplam kayıt 1, listelenen: 1-1
-
Al/TiO2/p-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri
(Fen Bilimleri Enstitüsü, 2013)Bu çalışmada, Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Diyotun düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. ...