Grafen transistörlerin elektriksel parametrelerinin belirlenmesi

Abstract

Grafen, bal peteği örgüsü şeklinde sıkıca paketlenmiş karbon atomlarının düz tek tabakası olarak tanımlanmaktadır. Bu sıkıca bağlı iki boyutlu madde, birçok uygulamalarda heyecan uyandıran yüksek sağlamlık, üstün termal ve elektriksel iletkenlik gibi olağanüstü özellikler sergiler. Tek tabaka grafenler, 285 nm termal oksitli silisyum alttaş üzerine mekanik ayrılma metoduyla hazırlanır. Bu tek tabaka grafenler optik mikroskobu ve daha sonra Raman Spektroskobisiyle karakterize edilir. Sonra elektriksel ölçümler yapmak için, alttaş olarak silisyum kullanılarak grafen tabakalar üzerine grafen alan etkili transistor üretilir. Bu çalışmanın asıl amacı; atmosfer, vakum, nem altında ve farklı sıcaklık değerlerinde grafenin elektriksel parametrelerini incelemektir.

Graphene is defined as flat monolayer of carbon atoms tightly packed into a honeycomb lattice. This strictly two-dimensional (2D) material exhibits a range of unusual properties, such as excellent electrical and thermal conductivities and extremely high strength, which hold great promise in many applications. Mechanical exfoliated single layer graphene sheets are transfered on silicon wafer which have 285 nm thermal oxide. These single graphene layers are characterized by optical microscopy and then Raman Spectroscopy. In order to measure electrical characteristics, graphene field effect transistor is fabricated on the graphene sheet by using the silicon substrate as backgate. The main objectives of this study are to explore electrical parameters of the graphene under the atmosphere, vacuum, humidity and different temperature.